|
|
International Journal of Engineering، جلد ۳۱، شماره ۵، صفحات ۷۱۲-۷۱۸
|
|
|
| عنوان فارسی |
|
|
| چکیده فارسی مقاله |
|
|
| کلیدواژه‌های فارسی مقاله |
|
|
| عنوان انگلیسی |
Process Optimization of Deposition Conditions for Low Temperature Thin Film Insulators used in Thin Film Transistors Displays |
|
| چکیده انگلیسی مقاله |
Deposition process for thin insulator used in polysilicon gate dielectric of thin film transistors are optimized. Silane and N2O plasma are used to form SiO2 layers at temperatures below 150 ºC. The deposition conditions as well as system operating parameters such as pressure, temperature, gas flow ratios, total flow rate and plasma power are also studied and their effects are discussed. The physical aspects of the yielded dielectrics such as layer thickness and uniformity are presented as well. |
|
| کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله |
|
|
| نویسندگان مقاله |
Siroos Rastani |
Engineering and Technology, Qom University
|
|
| نشانی اینترنتی |
http://www.ije.ir/article_73172_9c6833a90134678e47ec9f6ad20c8077.pdf |
| فایل مقاله |
اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/409/article-409-2061848.pdf |
| کد مقاله (doi) |
|
| زبان مقاله منتشر شده |
en |
| موضوعات مقاله منتشر شده |
|
| نوع مقاله منتشر شده |
|
|
|
|
برگشت به:
صفحه اول پایگاه |
نسخه مرتبط |
نشریه مرتبط |
فهرست نشریات
|