|
|
International Journal of Engineering، جلد ۳۱، شماره ۹، صفحات ۱۵۵۳-۱۵۵۸
|
|
|
| عنوان فارسی |
|
|
| چکیده فارسی مقاله |
|
|
| کلیدواژه‌های فارسی مقاله |
|
|
| عنوان انگلیسی |
A High Gain and Forward Body Biastwo-stage Ultra-wideband Low Noise Amplifier with Inductive Feedback in 180 nm CMOS Process |
|
| چکیده انگلیسی مقاله |
This paper presents a two-stage low-noise ultra-wideband amplifier to obtain high and smooth gain in 180nm CMOS Technology. The proposed structure has two common source stages with inductive feedback. First stage is designed about 3GHz frequency and second stage is designed about 8GHz. In simulation, symmetric inductors of TSMC 0.18um CMOS technology in ADS software is used.Simulations results show high and relatively smooth S21 equal to 18.674±1.38dB, noise figure of less than 3.7dB, power consumption of 14.6mW with 1.2v supply voltage and suitable matching at the input (S11 |
|
| کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله |
Low Noise Amplifier, UWB, Inductive feedback |
|
| نویسندگان مقاله |
Jamal Ghasemi |
Engineering and Technology, University of Mazandaran
Seyed Saeid Mousavi |
Electrical Engineering, Mazandaran University of Sience and Technology
Mohammad Gholami |
Electrical & Electronic Engineering, University of Mazandaran
|
|
| نشانی اینترنتی |
http://www.ije.ir/article_73292_261f88c34ca9fba5812b677964672a11.pdf |
| فایل مقاله |
اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/409/article-409-2061757.pdf |
| کد مقاله (doi) |
|
| زبان مقاله منتشر شده |
en |
| موضوعات مقاله منتشر شده |
|
| نوع مقاله منتشر شده |
|
|
|
|
برگشت به:
صفحه اول پایگاه |
نسخه مرتبط |
نشریه مرتبط |
فهرست نشریات
|