این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
مدلسازی در مهندسی، جلد ۱۶، شماره ۵۳، صفحات ۱۳-۱۳
عنوان فارسی تکنیک نوین برای کاهش اثر خودگرمایی در ترانزیستورهای اثرمیدان با سورس و درین گسترده شده
چکیده فارسی مقاله در این مقاله یک ساختار جدیدی از ترانزیستور دو گیتی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق پیشنهاد شده است. در این تکنولوژی، اکسید مدفون به عنوان یک لایه عایق نسبت به سیلیسیم، هدایت گرمایی پایین تری دارد که باعث بروز مشکلاتی برای ماسفت های در مقیاس نانو می گردد. در این مقاله یک پنجره سیلیسیمی زیر ناحیه کانال جایگزین قسمتی از اکسید مدفون می گردد تا باعث کاهش ماکزیمم دمای افزاره گردد زیرا قابلیت انتقال حرارت در سیلیسیم بیشتر از اکسید سیلیسیم می باشد. شبیه سازی با استفاده از نرم افزار شبیه ساز ATLAS نشان می دهد که با در نظر گرفتن مقدار بهینه برای طول و ضخامت پنجره سیلیسیمی، ترانزیستوری با عملکرد مناسب از نقطه نظر دما بدست می آید. این موضوع باعث می شود که ترانزیستور دوگیتی دارای عملکردی مطمئن تر در ابعاد نانو و در دماهای بالاتر گردد. بنابراین، ساختار پیشنهادی می تواند جایگزین مناسبی برای ساختار متداول باشد.
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی A new technique for reducing self heating effect in MOSFETs with extended source and drain
چکیده انگلیسی مقاله Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) plays a key role in electronic industry in recent years. Among MOSFETs, double gate (DG) transistor is an important device. During last decade, many efforts have been accomplished to improve the device properties. A new structure of the double gate (DG) transistor on SOI technology is proposed in this paper. In SOI technology, buried oxide as insulating layer has lower thermal conductivity than silicon and makes some problems for nano-scale MOSFETs. Incorporating a silicon window under the channel region and two spacers reduces maximum temperature of device. The simulation with ATLAS simulator shows that by optimizing the length and thickness of the silicon window, an acceptable device temperature would be achieved and makes the double gate structure more reliable for nano-scale applications at high temperature. Drain current, lattice temperature, electron mobility, hole density, threshold voltage, subthreshold swing and off current are improved in the new structure.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله میثم زارعی |
دانشگاه دامغان

مهسا مهراد |
دانشگاه دامغان

نشانی اینترنتی
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات