این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
Journal of Optoelectronical Nanostructures، جلد ۳، شماره ۱، صفحات ۲۹-۴۰
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Effects of the Channel Length on the Nanoscale Field Effect Diode Performance
چکیده انگلیسی مقاله Field Effect Diode (FED)s are interesting device in providing the higherON-state current and lower OFF–state current in comparison with SOI-MOSFETstructures with similar dimensions. The impact of channel length and band-to-bandtunneling (BTBT) on the OFF-state current of the side contacted FED (S-FED) has beeninvestigated in this paper. To find the lowest effective channel length, this device issimulated with 75, 55 and 35 nm channel length and the results obtained are presentedin this article. Our numerical results show that the ION/IOFF ratio can be varied from 104to 100 for S-FED as the channel lengths decrease. We demonstrate that for channellengths shorter than 35 nm by considering the Band-to-Band tunneling model, the SFEDdevice does not turn off.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله arash rezaei |
Department of Electrical & Computer Engineering, Babol Noshirvani University of Technology, Babol, Iran.

Bahram Azizollah-Ganji |
Department of Electrical & Computer Engineering, Babol Noshirvani University of Technology, Babol, Iran.

Morteza Gholipour |
Department of Electrical & Computer Engineering, Babol Noshirvani University of Technology, Babol, Iran.

نشانی اینترنتی http://jopn.miau.ac.ir/article_2862_bef7da6edbf416bfe30b564a3bf3efb0.pdf
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/1726/article-1726-671170.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات