این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
Journal of Optoelectronical Nanostructures، جلد ۳، شماره ۱، صفحات ۱۹-۲۸
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Effect of Annealing on Physical Properties of Cu2ZnSnS4 (CZTS) Thin Films for Solar Cell Applications
چکیده انگلیسی مقاله Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin films were prepared by directly sputteringCu (In,Ga)Se2 quaternary target consisting of (Cu: 25%, Zn: 12.5%, Sn; 12.5%and S: 50%). The composition and structure of CZTS layers have beeninvestigated after annealing at 200 0C, 350 0C and 500 0C under vacuum. Theresults show that recrystallization of the CZTS thin film occurs and increasingthe grain size with a preferred orientation in the (112) direction was obtained. TheRaman spectra showed the existence of crystalline CZTS phase after annealing.Optical transmission spectra were recorded within the range 300-900 nm. Theenergy band gap (Eg) of the CZTS thin films was calculated before and afterannealing from the transmittance spectra using Beer-Lambert's law. Results showthat Eg is dependent on the annealing temperature. The optical band gap of CZTSalso varied from 1.57 eV to 1.31 eV with increase in the annealing temperaturefrom 200 0C min to 500 0C.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله CZTS, Magnetron Sputtering, optical properties, Solar Cells
نویسندگان مقاله Heydar Izadneshan |
Department of physics, Marvdasht Branch, Islamic Azad University, Marvdasht, Iran.

Ghahraman Solookinejad |
Department of physics, Marvdasht Branch, Islamic Azad University, Marvdasht, Iran.

نشانی اینترنتی http://jopn.miau.ac.ir/article_2861_3408e9357946be0f86d7f08c8a2ec315.pdf
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/1726/article-1726-671169.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات