|
|
مدلسازی در مهندسی، جلد ۱۶، شماره ۵۲، صفحات ۱۰-۱۰
|
|
|
| عنوان فارسی |
ساختار جدید ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل زنی با دوپینگ خطی در ناحیه درین: شبیه‌سازی عددی کوانتومی |
|
| چکیده فارسی مقاله |
برای اولین بار، در این مقاله یک ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل زنی جدید پیشنهاد شده است که در این ساختار جدید به جای استفاده از یک دوپینگ سنگین در ناحیه درین ساختار متداول، از یک دوپینگ خطی استفاده شده است. این دوپینگ از وسط ناحیه درین به صورت خطی به سمت ناحیه کانال گسترش یافته است. میزان ناخالصی در محل اتصال کانال-درین صفر است. این ساختار ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل زنی با دوپینگ خطی (LD-T-CNTFET) نامیده می‌شود. رفتار الکتریکی افزاره پیشنهادی با شبیه‌سازی عددی کوانتومی و با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلی (NEGF) مورد بررسی قرار گرفته است. . نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهد که رفتار حالت روشن، حالت خاموش، نوسان زیر آستانه و کلیدزنی ساختار پیشنهادی در مقایسه با ساختار متداول بسیار بهتر می‌باشد. همچنین ساختار LD-T-CNTFET در مقایسه با ساختار متداول دارای فرکانس قطع بالاتری است و در نتیجه کاندیدای مناسبی برای کاربردهای با توان مصرفی کم و فرکانس بالا می‌باشد. |
|
| کلیدواژه‌های فارسی مقاله |
|
|
| عنوان انگلیسی |
A new tunneling carbon nanotube field effect transistor with linear doping profile at drain region: numerical simulation study |
|
| چکیده انگلیسی مقاله |
For the first time, a new structure is proposed for tunneling CNTFET (T-CNTFET). In this new structure, the drain region is divided into two parts, and the part near the channel has a linear doping profile. This new structure is called T-CNTFET with linear doping in drain (LD-T-CNTFET). The obtained results using a non-equilibrium Green’s function (NEGF) method show that the LD-T-CNTFET compared with conventional T-CNTFET leads to increase in ON current, reduction in OFF current, increasing current ratio, reducing sub-threshold swing, reducing power consumption and increasing the transistor speed. In addition to the mentioned benefits, the LD-T-CNTFET structure increases the cutoff frequency in comparison with conventional T-CNTFET structure. Therefore, it can be said that LD-T-CNTFET is a proper structure for the applications with low power consumption and high speed. |
|
| کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله |
|
|
| نویسندگان مقاله |
بهروز عبدی تهنه |
دانشگاه صنعتی کرمانشاه
|
|
| نشانی اینترنتی |
|
| فایل مقاله |
فایلی برای مقاله ذخیره نشده است |
| کد مقاله (doi) |
|
| زبان مقاله منتشر شده |
fa |
| موضوعات مقاله منتشر شده |
|
| نوع مقاله منتشر شده |
|
|
|
|
برگشت به:
صفحه اول پایگاه |
نسخه مرتبط |
نشریه مرتبط |
فهرست نشریات
|