Journal of Optoelectronical Nanostructures، جلد ۱، شماره ۴، صفحات ۴۱-۴۸
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی The structural and density state calculation of B Nitrogen doped silicene nano flake
چکیده انگلیسی مقاله In this paper, we study the effect of single Boron/Nitrogen impurityatom on electronic properties of a silicene nano flake. Our calculations are basedon density functional theory by using Gaussian package. Here, one Si atom insilicene nano flake substitutes with a Boron/Nitrogen atom. The results show thatsubstitution of one Si atom with single Boron/Nitrogen atom increases distanceof impurity atom with its nearest neighbors and changes hexagonal structure ofsilicene nano flake. Doping silicene nano flake with a Boron impurity atom makesits structure curved and causes to create a miniband in energy gap, whichincreases conductance consequently while doping with a Nitrogen atom causesto produce two spin dependent midbands in energy gap which leads to creating acontrollable spin dependent conductance with electron energy for silicene nanoflake. Therefore, Nitrogen doped silicene nano flake is good material for designof nano electronic and spintronic devices.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله Boron Impurity, Nano flake, Nitrogen Impurity, Silicene
نویسندگان مقاله سمیه احمدی |
department of physics, imam khomeini international university, qazvin, iran
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه بین المللی امام خمینی (Imam khomeini international university)

محمد هادی رمضانی | mohammad hadi
department of physics, imam khomeini international university, qazvin, iran
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه بین المللی امام خمینی (Imam khomeini international university)

نشانی اینترنتی http://jopn.miau.ac.ir/article_2199_b5025d19cb70bb66e467e98f5725734f.pdf
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/1726/article-1726-463945.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات