بلورشناسی و کانی شناسی ایران، جلد ۳۳، شماره ۱، صفحات ۱۶۹-۱۸۰
عنوان فارسی لایه‌های نازک اکسید قلع آلاییده با فلوئور دارای شاخص شایستگی بالا رشدیافته به روش گرما کافت افشانه ای: اثر مقدار آلاینده بر ویژگی‌های فیزیکی
چکیده فارسی مقاله لایه‌های نازک اکسید قلع آلاییده با فلوئور (FTO) با روش گرماکافت افشانه­ای روی بستر لام شیشه­ای رشد داده شدند. مقدار آلاینده فلوئور (نسبت اتمی [F]/[Sn]) در محلول پیش­ماده به ترتیب برابر با 0، 20، 30 و 40 درصد اتمی در نظر گرفته شد. با ورود F به ساختار SnO2، بافت لایه­های نازک دچار تغییراتی شد. این تغییرات عامل اصلی بهبود تحرک حامل­های بار تشخیص داده شد. بهبود تحرک حامل­های بار در کنار افزایش غلظت آنها در اثر جایگزینی O2- با F-، باعث افزایش قابل توجه رسانندگی در لایه­های آلاییده شد. آلاینده F همچنین باعث افزایش شفافیت و جابه­جایی لبه جذب لایه­های نازک FTO به سمت طول موج­های پایین­تر گردید. سرانجام لایه نازک FTO با آلاینده 30 درصد اتمی مقاومت ویژه Ω.cm 10-4×09/8، مقاومت سطحی Ω/sq 16 و متوسط عبور %47/87 را فراهم آورد که در نتیجه آن شاخص شایستگی 1-Ω 10-2×65/1 برای آن محاسبه گردید.
کلیدواژه‌های فارسی مقاله لایه نازک FTO، آلاینده، مقاومت ویژه، عبور، شاخص شایستگی، گرما کافت افشانه‌ای.
عنوان انگلیسی Spray-deposited fluorine doped tin oxide thin films with high figure of merit: the influence of doping concentration on the physical characteristics
چکیده انگلیسی مقاله Fluorine (F)-doped tin oxide (FTO) thin films were spray-deposited onto soda lime glass substrate. The F doping concentration ([F]/[F]+[Sn] atomic ratio) was varied from 0, 20, 30, and 40 at.% in the precursor solution. Due to the presence of the F in the SnO2 structure, the thin films texture was changed which was found to be in favor of mobility improvement. The mobility enhancement along with the carrier concentration raise, which result from substitution of O2- with F-, led to significant conductivity promotion in the doped thin films. Moreover, F doping caused transparency improvement and shift in the absorption edge towards lower wavelength in the prepared FTO thin films. Consequently, the FTO film derived from 30 at.% doping reached a resistivity, sheet resistance, and average transmittance of 2.08×10-1 Ω.cm, 16 Ω/sq, and 87.47%, respectively. The mentioned values provided a 1.65×10-2 Ω-1 of figure of merit for the FTO thin film.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله FTO thin film, doping, resistivity, transmittance, figure of merit, spray pyrolysis
نویسندگان مقاله حسن زارع اصل | Hassan Zare Asl
Department of Physics, Behbahan Khatam Alanbia University of Technology, Behbahan, Iran
گروه فیزیک، دانشگاه صنعتی خاتم الانبیاء بهبهان، بهبهان، ایران

سیدمحمد روضاتی | Seyed Mohammad Rozati
Department of Physics, University of Guilan, Rasht, Iran
گروه فیزیک، دانشگاه گیلان، رشت، ایران

نشانی اینترنتی http://ijcm.ir/browse.php?a_code=A-10-655-3&slc_lang=fa&sid=1
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده تخصصی
نوع مقاله منتشر شده پژوهشی
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات