|
|
Journal of Optoelectronical Nanostructures، جلد ۱، شماره ۴، صفحات ۵۹-۶۸
|
|
|
| عنوان فارسی |
|
|
| چکیده فارسی مقاله |
|
|
| کلیدواژه‌های فارسی مقاله |
|
|
| عنوان انگلیسی |
Energy band correction due to one dimension tension in phosphorene |
|
| چکیده انگلیسی مقاله |
Among graphene-like family, phosphorene is a typical semiconducting layered material, which can also be a superconductor in low temperature. Applying pressure or tension on phosphorene lattice results in changing the hopping terms, which change the energy bands of the material. In this research we use the tight-binding Hamiltonian, including relevant hopping terms, to calculate energy bands of normal and under tension phosphorene. Our results show that the energy gap decreases by decreasing / from 3 to 2, and finally the gap disappears. |
|
| کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله |
|
|
| نویسندگان مقاله |
علی ایزدپرست |
department of physics, isfahan university of technology. isfahan, iran
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه صنعتی اصفهان (Isfahan university of technology)
پیمان صاحب سرا |
department of physics, isfahan university of technology. isfahan, iran
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه صنعتی اصفهان (Isfahan university of technology)
|
|
| نشانی اینترنتی |
http://jopn.miau.ac.ir/article_2201_10906e4c6c7fc65b3748b5457223e287.pdf |
| فایل مقاله |
اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/1726/article-1726-347112.pdf |
| کد مقاله (doi) |
|
| زبان مقاله منتشر شده |
en |
| موضوعات مقاله منتشر شده |
|
| نوع مقاله منتشر شده |
|
|
|
|
برگشت به:
صفحه اول پایگاه |
نسخه مرتبط |
نشریه مرتبط |
فهرست نشریات
|