این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
پژوهش فیزیک ایران، جلد ۲۴، شماره ۲، صفحات ۱۸۳-۱۸۹
عنوان فارسی بررسی خواص الکترونی و گرمایی بلور SnN – InO با روش نظریۀ تابعی چگالی
چکیده فارسی مقاله در این پژوهش، با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی، ویژگی­های الکترونی و ترموالکتریکی بلور دوبعدی SnN-InO مورد مطالعه قرار گرفته است. نانوساختار SnN-InO، یک مادۀ ترموالکتریک لانه­زنبوری دوبعدی با گاف نواری غیرمستقیم eV 5/0 است. با استفاده از ساختار الکترونی به محاسبۀ ضرایب ترابردی ترموالکتریکی نظیر ضریب سیبک که تعیین‌کنندۀ اصلی خواص ترموالکتریکی است، ضریب رسانندگی الکتریکی و گرمایی الکترونی و معیار شایستگی پرداخته می­شود. محاسبات نشان می­دهند که ضریب سیبک با افزایش دما، کاهش می­یابد و در محدودۀ تراز فرمی و انرژی­های منفی، بیشترین مقدار را دارد. همچنین تغییرات معیار شایستگی نسبت به دما بسیار اندک است، به­طوری­که در بازۀ دمایی 400 کلوین به مقداری کمتر از 2/0، دستخوش تغییرات شده است. بنابراین نانوساختار SnN-InO، می­تواند به عنوان یک مادۀ ترموالکتریک خوب با معیار شایستگی 9/0 در دمای اتاق مورد توجه قرار گیرد.
کلیدواژه‌های فارسی مقاله بلور دوبعدی SnN-InO،نظریۀ تابعی چگالی،ضریب سیبک،رسانندگی الکتریکی،رسانندگی گرمایی،معیار شایستگی،معادلۀ ترابرد بولتزمن،
عنوان انگلیسی Investigation of electronic and thermal properties of SnN-InO by using density functional theory
چکیده انگلیسی مقاله In this research, electronic and thermoelectric properties of the two-dimensional monolayer of SnN-InO were investigated using density functional theory. The SnN-InO nanostructure is a two-dimensional hexagonal thermoelectric material with an indirect band gap of 0.5 eV. Using the electronic structure, we evaluated the thermoelectric transport coefficients such as the Seebeck coefficient which is the major determinant of thermoelectric properties, electrical conductivity, electronic thermal conductivity, and figure of merit. Calculations illustrate that the Seebeck coefficient declined to some extent with increasing temperature, and had the highest value in the range of Fermi level and negative energies. Another factor to consider is the variations of the figure of merit that are negligible compared to the temperature, so it has undergone changes of about 0.2 in the temperature range of 400K which are reasonable for practical applications. Therefore, the SnN-InO nanostructure can be considered as a qualified thermoelectric material with the figure of merit as 0.9 at room temperature.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله بلور دوبعدی SnN-InO,نظریۀ تابعی چگالی,ضریب سیبک,رسانندگی الکتریکی,رسانندگی گرمایی,معیار شایستگی,معادلۀ ترابرد بولتزمن
نویسندگان مقاله مجتبی اشهدی |
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان

طاهره شعبان زاده حصاری |
مرکز تحقیقات نانو، دانشکده علوم، دانشگاه فردوسی، مشهد

نشانی اینترنتی https://ijpr.iut.ac.ir/article_3503_e37a620a108c54fb33a809efc4c3b1c9.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات