|
|
مهندسی برق و الکترونیک ایران، جلد ۱۳، شماره ۴، صفحات ۳۳-۴۰
|
|
|
| عنوان فارسی |
یک راهکار جدید برای کاهش جریان نشتی در کلید های CMOS |
|
| چکیده فارسی مقاله |
کلیدهای CMOS یکی از ساختارهای اصلی و تاثیرگذار مدارهای الکترونیکی به شمار میروند و به طور گسترده در مدارهای آنالوگ کاربرد دارند. یکی از شاخصههای غیر ایدهآل این کلیدها مقاومت حالت خاموش و جریان نشتی معکوس آنها است. به منظورکاهش جریان نشتی کلیدهای ماسفت و در نتیجه آن افزایش مقاومت حالت خاموش کلید، یک روش جدید در این مقاله ارائه شده است. این راهکار با بهره برداری از اثر بدنه و افزایش ولتاژ آستانه میتواند برای مدارهای پرتونگاری (توموگرافی) خازنی استفاده شود. ساختار ارائه شده علاوه بر کاهش جریان نشتی معکوس، باعث کاهش خازنهای پارازیتی کلید، کاهش جریان نشتی ناشی از پدیده Punch-Trough و رسیدن به مقاومت حالت روشن پایین تر نیز میشود. نتایج شبیهسازی با استفاده از نرم افزارHSPICE بدست آمده و برای آن از یک نمونه مدل تجاری با طول کانال 0.18μm استفاده شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که جریان نشتی معکوس نسبت به کلید NMOS، بیش از چهار برابر و نسبت به کلید بوت استرپ بیش از سه برابر کمتر شده است. علاوه بر آن کلید پیشنهادی رفتار دمائی پایدارتر و تغییرات کمتری در گوشه های پروسه دارد. |
|
| کلیدواژه‌های فارسی مقاله |
|
|
| عنوان انگلیسی |
A New Technique for Reduction of Leakage Current of CMOS Switches |
|
| چکیده انگلیسی مقاله |
CMOS switches are one of the main components of today's analog circuits. Among the many types of non-idealities that can affect the performance of the switch, its leakage current is of utmost importance. In order to reduce the leakage current or equally increase the OFF resistance of any switch, a novel technique is presented in this paper. The proposed technique employs the body effect to increase the threshold voltage and it can be used at high-frequency or low-frequency switching circuits. In addition to the leakage current reduction, the presented technique also decreases the parasitic capacitance of the switch and the leakage current caused by the punch-through effect. The proposed switch is simulated by HSPICE using a commercial 0.18μm CMOS technology. Simulation results show more than 400% reduction in the leakage current compared to the NMOS switch and more than 300% reduction compared to the boot-strapped switch. |
|
| کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله |
|
|
| نویسندگان مقاله |
ناصر حسن زاده | naser hasanzade
محمد دانایی | mohammad danaie
|
|
| نشانی اینترنتی |
http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-1-17&slc_lang=fa&sid=fa |
| فایل مقاله |
اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/2008/article-2008-316600.pdf |
| کد مقاله (doi) |
|
| زبان مقاله منتشر شده |
fa |
| موضوعات مقاله منتشر شده |
الکترونیک |
| نوع مقاله منتشر شده |
پژوهشی |
|
|
|
برگشت به:
صفحه اول پایگاه |
نسخه مرتبط |
نشریه مرتبط |
فهرست نشریات
|