این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
International Journal of Nanoscience and Nanotechnology (IJNN)، جلد ۱۹، شماره ۳، صفحات ۱۴۹-۱۶۴
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Analysis and Design of CNTFET-Based ‎Electronic Circuits: A Review
چکیده انگلیسی مقاله    In this review we present some design of CNTFET-based circuits, already proposed by us and here critically examined. For some of these, we compare the performance of proposed circuits both in CNTFET and CMOS technology. For CNTFET model, we use a compact, semi-empirical model, already proposed by us and briefly recalled, while, for the MOSFET model, we use the BSIM4 one of ADS library. Moreover in some design examples we compare our results with those obtained using the Stanford model. All simulations are carried out using the software ADS, which is compatible with the Verilog-A programming language.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله CNTFET,CMOS,Modelling,Design of A/D circuits,Advanced Design System.‎
نویسندگان مقاله Roberto Marani |
Electronic Devices Laboratory, Department of Electrical and Information Engineering, ‎Polytechnic University of Bari, 70126, Bari, Italy

Anna Gina Perri |
Institute of Intelligent Industrial Technologies and Systems for Advanced Manufacturing ‎‎(STIIMA), National Research Council of Italy, 70125, Bari, Italy‎

نشانی اینترنتی https://www.ijnnonline.net/article_707288_780837a2986a6b749474cea33d329507.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات