این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
صفحه اصلی
درباره پایگاه
فهرست سامانه ها
الزامات سامانه ها
فهرست سازمانی
تماس با ما
JCR 2016
جستجوی مقالات
چهارشنبه 9 مهر 1404
Iranian Journal of Materials Science and Engineering
، جلد ۲۰، شماره ۲، صفحات ۱-۷
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژههای فارسی مقاله
عنوان انگلیسی
Multicrystalline Silicon Passivation by Hydrogen and Oxygen- Rich Porous Silicon Layer for Photovoltaic Cells Applications
چکیده انگلیسی مقاله
In this work, we demonstrate the beneficial effect of introducing a superficial porous silicon layer on the electronic quality of multi-crystalline silicon for photovoltaic cell application. The porous silicon was formed using an acid vapor etching-based method. The porous silicon layer rich in hydrogen and oxygen formed by vapor etching is an excellent passivating agent for the mc-Si surface. Laser beam-induced current (LBIC) analysis of the exponentiation parameter (n) and surface current mapping demonstrates that oxygen and hydrogen-rich porous silicon led to excellent surface passivation with a strong electronic quality improvement of multi-crystalline silicon. It was found that the generated current of treated silicon by acid vapor etching-based method is 20 times greater as compared to the reference substrate, owing to recombination centers passivation of the grains and grain boundaries (GBs); The actual study revealed an apparent decrease in the recombination velocity of the minority carrier as reflected by 25% decrease in the exponentiation parameter (n) of the LBIC versus X-position measurements. These results make achieved porous silicon a good option for advancing efficient photovoltaic cells.
کلیدواژههای انگلیسی مقاله
Multi-crystalline silicon,Laser beam induced current,Vapor etching,Oxygen and hydrogen,Passivation.
نویسندگان مقاله
| Aqeel Mohammed Hamoudi
Research and Technology Centre of Energy
| Karim Choubani
College of Engineering, Imam Mohammad Ibn Saud Islamic University, Riyadh, Saudi Arabia
| Mohamed Ben Rabha
CRTEn
نشانی اینترنتی
http://ijmse.iust.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-4596-1&slc_lang=en&sid=1
فایل مقاله
فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده
en
موضوعات مقاله منتشر شده
Materials engineeing and special subjects
نوع مقاله منتشر شده
Research Paper
برگشت به:
صفحه اول پایگاه
|
نسخه مرتبط
|
نشریه مرتبط
|
فهرست نشریات