این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
Journal of Optoelectronical Nanostructures، جلد ۵، شماره ۲، صفحات ۲۵-۳۸
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Analysis of Kirk Effect in Nanoscale Quantum Well Heterojunction Bipolar Transistor Laser
چکیده انگلیسی مقاله In this paper, we present an analytical model to analysis the kirk effect onstatic and dynamic responses of quantum well heterojunction bipolar transistor lasers(HBTLs). Our analysis is based on solving the kirk current equation, continuityequation and rate equations of HBTL. We compare the performance (current gain,output photon number and small signal modulation bandwidth) of the transistor laserwith different levels of the kirk current. We show that, at high collector currents, thestatic and small signal behavior of HBTL depend on kirk current level. The resultsindicate that, the level of kirk current affect current gain, output photon number andmodulation bandwidth From simulation results, it can befound that, kirk effect hasdestructive influence on HBTL performance. It was found that lower modulationbandwidth and lower current gain occurs at lower kirk current level. For increasing kirkcurrent, the high collector-base voltage and high collector length was proposed.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله Quantum well, Heterojunction Bipolar Transistor lasers (HBTLs), Kirk Effect, Saturation Velocity
نویسندگان مقاله Ashkan Horri |
Department of Electrical Engineering, Arak Branch, Islamic Azad University Arak, Iran

Seyedeh Zahra Mirmoeini |
Department of Electrical Engineering, Arak Branch, Islamic Azad University Arak, Iran

نشانی اینترنتی http://jopn.miau.ac.ir/article_4216_16b679cf6224faf5b5bb84a468ea2283.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات