این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
صفحه اصلی
درباره پایگاه
فهرست سامانه ها
الزامات سامانه ها
فهرست سازمانی
تماس با ما
JCR 2016
جستجوی مقالات
سه شنبه 14 بهمن 1404
Journal of Optoelectronical Nanostructures
، جلد ۷، شماره ۱، صفحات ۱۹-۳۶
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژههای فارسی مقاله
عنوان انگلیسی
Performance Optimization of an Electrostatically Doped Staggered Type Heterojunction Tunnel Field Effect Transistor with High Switching Speed and Improved Tunneling Rate
چکیده انگلیسی مقاله
In this paper, we demonstrate an electrostatically dopedjunctionless tunnel field effect transistor which iscomposed of a staggered band alignment at theheterojunction. The proposed structure reduces thetunneling barrier width to have a higher on-sate currentusing Ge/GaAs heterojunction at the source-channelinterface. Due to the employment of electrostaticallydoped strategy for creating p+-n+ tunneling junction, theintroduced device has low temperature simple fabricationprocess. The device has on-state current of 1.5×10-4(A/μm), subthreshold swing of 5.15 mV/dec and on/offcurrent ratio of 1.56×1010, manifesting the design of afast switching device. In addition, statistical analysis isconducted to investigate the sensitivity of deviceperformance with respect to the variation of criticaldesign parameters. The results demonstrate that gateworkfunction and polarity gate bias are fundamentaldesign parameters and optimum value should bedetermined for them to assess efficient deviceperformance.
کلیدواژههای انگلیسی مقاله
Tunnel field effect transistor, Junctionless transistor, Gate workfunction, Tunneling, Sensitivity
نویسندگان مقاله
Mahdi Mohammadkhani Ghiasvand |
Department of Electronic, Yadegar- e- Imam Khomeini (RAH) Shahre Rey Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran.
Zahra Ahangari |
Department of Electronic, Yadegar- e- Imam Khomeini (RAH) Shahre Rey Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran.
Hamed Nematian |
Department of Electronic, Yadegar- e- Imam Khomeini (RAH) Shahre Rey Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran.
نشانی اینترنتی
http://jopn.miau.ac.ir/article_5086_1946d1428566826fc512e64d850ad7f8.pdf
فایل مقاله
فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده
en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به:
صفحه اول پایگاه
|
نسخه مرتبط
|
نشریه مرتبط
|
فهرست نشریات