این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
پژوهش فیزیک ایران، جلد ۵، شماره ۴، صفحات ۲۴۳-۲۴۸
عنوان فارسی باز توزیع ناخالصی آرسنیک (As) در رشد گرمایی و سرعت رشد اکسید سیلیسیم
چکیده فارسی مقاله در این مقاله نحوه باز توزیع ناخالصی آرسنیک و تاثیر آن را بر روی سرعت رشد اکسید سیلیسیم که به روش اکسیداسیون گرمایی )در دمای 900C° و با استفاده از بخار آب( رشد داده شده است بررسی می کنیم. ناخالصی آرسنیک به وسیله کشت یونی با انرژی 100keV در نمونه سیلیسیم با جهت بلوری (100) کاشته شده و اثر ناخالصی آرسنیک با غلظتهای 2×1016As+/cm2و 5×1016As+/cm2بر سرعت رشد اکسید سیلیسیم به وسیله اندازه گیری ضخامت اکسید به روش پراکندگی برگشتی راترفورد (RBS) بررسی می شود. همچنین, نحوه توزیع ناخالصی آرسنیک و عمق آن از جمله مسایلی است که می توان بدین وسیله مطالعه کرد. مقایسه این نتایج با کارهای قبلی انجام شده در زمینه اکسیداسیون سیلیسیم برای نمونه های کشت شده, افزایش سرعت رشد را نشان می دهد. ایجاد Shallow Junction ها از جمله نتایج مورد انتظار است.
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Redistribution of implanted Arsenic (AS) on the rate of oxide growth during steam oxidation of Si
چکیده انگلیسی مقاله  In this article, we investigate the redistribution of implanted As+ ion and effect of it on the rate of oxide growth during steam oxidation of Si wafers at 900oC. Our results show that a highly enriched, thin layer of Arsenic forms at the interface between the oxide and the underlying Si. Also, the oxidation rate was found to increase depending on the depth distribution and dose of the implanted impurity As. The thin As layer collected at the interface can be used in the design of shallow junctions. Rutherford Backscattering Spectroscopy(RBS) was used to investigate the oxide characteristics.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله داود آقا علی گل | d agha ali gol
department of vande graaff, nuclear research centre, atomic energy organization of iran aeoi , tehran, iran
سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات هسته ای، بخش واندوگراف
سازمان اصلی تایید شده: سازمان انرژی اتمی (Atomic energy organization)

علی باقی زاده | a baghizadeh
department of vande graaff, nuclear research centre, atomic energy organization of iran aeoi , tehran, iran
سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات هسته ای، بخش واندوگراف
سازمان اصلی تایید شده: سازمان انرژی اتمی (Atomic energy organization)

داریوش فتحی | d fathi
department of physics, khaje-nassir-toosi university, tehran, iran
دانشگاه خواجه نصیرالدین طوسی - تهران خیابان شریعتی- خیابان جلفا، دانشکده علوم - گروه فیزیک
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی (Khajeh nasir toosi university of technology)

نشانی اینترنتی http://ijpr.iut.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-1-216&slc_lang=fa&sid=fa
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/1342/article-1342-236311.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده تخصصی
نوع مقاله منتشر شده پژوهشی
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات