این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
صفحه اصلی
درباره پایگاه
فهرست سامانه ها
الزامات سامانه ها
فهرست سازمانی
تماس با ما
JCR 2016
جستجوی مقالات
جمعه 7 آذر 1404
پژوهش فیزیک ایران
، جلد ۱۲، شماره ۳، صفحات ۲۴۵-۲۵۱
عنوان فارسی
تحلیل فرکتالی ویژگیهای سطح لایههای نازک اکسید ایندیوم قلع
چکیده فارسی مقاله
در این تحقیق، لایههای نازک اکسید ایندیوم آلاییده با قلع ( ITO ) در ضخامتهای مختلف به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی بستره شیشهای در دمای اتاق تهیه شده است. ضخامت لایهها 100 ، 150 و 250 نانومتر میباشد. با استفاده از تحلیل فرکتالی، فرآیند رشد لایه (افزایش ضخامت) بر خصوصیات مورفولوژیکی سطح در حالت آمورف مورد بررسی قرار گرفت. مشاهده شد که با افزایش ضخامت، ناهمواری سطح ( RMS ) w و طول همبستگی عرضی x کاهش پیدا میکند. همچنین، نمای ناهمواری α و نمای رشد β ، به ترتیب برابر α =0.72±0.01 و β=0.11±0.01 ، به دست آمد. بر اساس این نتایج، دریافتیم که فرآیند رشد لایهها را میتوان به صورت ترکیبی از مدلهای خطی EW و پخش سطحی مولینز توصیف نمود.
کلیدواژههای فارسی مقاله
عنوان انگلیسی
Fractal analysis of the surface of indium–tin-oxide
چکیده انگلیسی مقاله
In this study, indium-tin-oxide thin films in different thickness ranges were prepared by electron beam evaporation method on the glass substrate at room temperature. The thicknesses of films were 100, 150 and 250nm. Using fractal analysis, morphological characteristics of surface films thickness in amorphous state were investigated. The results showed that by increasing thickness, surface roughness (RMS) and lateral correlation length ( x ) were decreased. Also, the roughness exponent a and growth exponent b were determined to be 0.72 ± 0.01 and 0.11, respectively. Based on these results, we understand that the growth films can be described by the combination of the Edwards-Wilkinson equation and Mullins diffusion equation.
کلیدواژههای انگلیسی مقاله
ITO, thin film, fractal analysis, morphology
نویسندگان مقاله
فایق حسین پناهی | f hosseinpanahi
university of bu ali sina
دانشگاه بوعلی سینا همدان
سازمان اصلی تایید شده
: دانشگاه بوعلی سینا (Bu ali sina university)
داود ریوفی | d raoufi
university of bu ali sina
دانشگاه بوعلی سینا همدان
سازمان اصلی تایید شده
: دانشگاه بوعلی سینا (Bu ali sina university)
نشانی اینترنتی
http://ijpr.iut.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-1-589&slc_lang=fa&sid=fa
فایل مقاله
اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/1342/article-1342-235979.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده
fa
موضوعات مقاله منتشر شده
تخصصی
نوع مقاله منتشر شده
پژوهشی
برگشت به:
صفحه اول پایگاه
|
نسخه مرتبط
|
نشریه مرتبط
|
فهرست نشریات