این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
پژوهش فیزیک ایران، جلد ۱۲، شماره ۴، صفحات ۳۲۳-۳۳۰
عنوان فارسی بررسی تأثیر تابش لیزر بر خواص الکتریکی و ساختاری لایه‌های نازک ZnO
چکیده فارسی مقاله در این مقاله لایه‌‌ نازک ZnO به روش سل ‎ ژل بر روی زیرلایه شیشه ساخته شده است. لایه ‎ های اولیه ابتدا در دمای 100 و ˚C 240 خشک و سپس در دماهای 300 ، 400 و ˚C 500 پخت شده‌اند. اندازه ‎ گیری مقاومت دو نقطه ‎ ای نشان می ‎ دهد که مقاومت الکتریکی لایه ‎ های آماده شده، بسیار زیاد است. تابش پرتو لیزر اگزایمر KrF ( 248nm = λ ) با تعداد پالس 1000 ، فرکانس 1Hz و انرژی 90mJ/cm2 بر سطح لایه باعث کاهش مقاومت الکتریکی لایه می‌شود. طیف پراش پرتو ایکس ( XRD ) بهبود ساختار هگزاگونال ورتسایت لایه را تأیید می‌کند، و آنالیز AFM و FE-SEM شکل ‎ گیری منظم و دایروی دانه ‎ ها بر سطح لایه را نشان داد. اندازه ذرات بعد از تابش لیزر از 10nm ~ به 30nm ~ افزایش پیدا می‌کند. به طور کلی، نشان داده شده است که، ویژگی ‎ های ساختاری، الکتریکی و مورفولوژی لایه ‎ ها با تابش لیزر به طور قابل ملاحظه ‎ ای بهبود می ‎ یابد.
کلیدواژه‌های فارسی مقاله لایه‌های نازک ZnO، اکسید رسانای شفاف، لیزر پالسی، XRD، AFM
عنوان انگلیسی The effect of laser irradiation on electrical and structural properties of ZnO thin films
چکیده انگلیسی مقاله  In this paper, ZnO thin film was prepared by sol-gel process on glass substrates. The deposited films were dried at 100 and 240 ˚C and then annealed at 300, 400 and 500 ˚C. The two-probe measurement showed that resistance of as-prepared films is very high. The KrF excimer (λ=248 nm) laser irradiation with 1000 pulses, frequency of 1 Hz and 90 mJ/cm2 energy on surface of film resulted in the reduction of the films electrical resistance. X-ray diffraction (XRD) patterns confirmed the improved hexagonal wurtzite structure of film, and AFM and FE-SEM analyses showed regular and spherical grain was formed on the surface. The particle size was increased from ~10 to ~30 nm after leaser irradiation. Generally, it was showed that electrical, structural and morphological properties of films improve considerably by laser irradiation.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله فاطمه اسکندری | f eskandari
isfahan university of technology
دانشگاه صنعتی اصفهان
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه صنعتی اصفهان (Isfahan university of technology)

مهدی رنجبر | m ranjbar
isfahan university of technology
دانشگاه صنعتی اصفهان
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه صنعتی اصفهان (Isfahan university of technology)

پرویز کاملی | p kameli
isfahan university of technology
دانشگاه صنعتی اصفهان
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه صنعتی اصفهان (Isfahan university of technology)

هادی سلامتی | h salamati
isfahan university of technology
دانشگاه صنعتی اصفهان
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه صنعتی اصفهان (Isfahan university of technology)

نشانی اینترنتی http://ijpr.iut.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-1-603&slc_lang=fa&sid=fa
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/1342/article-1342-235964.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده تخصصی
نوع مقاله منتشر شده پژوهشی
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات