|
|
پژوهش فیزیک ایران، جلد ۱۹، شماره ۱، صفحات ۲۳۳-۲۳۹
|
|
|
| عنوان فارسی |
محدود کردن فرآیند بازترکیب در سلولهای خورشیدی حساس شده به نقطه کوانتومی PbS با استفاده از تعداد چرخه‌های مختلف پوشش‌دهی فیلم‌های ZnS |
|
| چکیده فارسی مقاله |
بازده تبدیل نسبتا کم انرژی (PCE) سلول های خورشیدی حساس شده به نقاط کوانتومی (QDSSCs) به بازترکیب بار در سطوح مشترک مربوط می شود. فرایند بازترکیب بار را میتوان با پوشاندن لایه QD با یک نیمه رسانای گاف پهن مانند ZnS، که به عنوان یک لایه مسدود کننده بین QD ها و مواد انتقال حفره (HTM) عمل می کند، متوقف کرد. در مطالعه حاضر، برای بهبود PCE از سلولهای خورشیدی حساس به نقطه کوانتومی PbS، لایه مسدود کننده ZnS بر روی PbS (QDs) با استفاده از روش جذب و واکنش متوالی لایه یونی (SILAR) در دمای اتاق و فشار محیط، با موفقیت ساخته شد. اثر ضخامت لایه ZnS بر خواص فتوولتائیک با تغییر تعداد چرخه های پوشش دهی (n) مورد بررسی قرار گرفت.. نتایج تجربی نشان داد که لایه مسدود کننده ZnS عملکرد فتوولتائیکی QDSSC های PbS را با جلوگیری از فرایند بازترکیب بار بهبود میبخشد. سلول خورشیدی حاوی ZnS با 6n= لایه برای پارامترهای چگالی جریان اتصال کوتاه (Jsc)، فاکتور پرشدگی (FF) وPCE ، به تریب مقادیر بیشینه 2mA.cm-11/11، 60/37٪ و 93/3٪ را نشان داد. ما دلایل این بهبود را کشف کرده و نشان دادیم که این امر بخاطر کاهش بازترکیب الکترون‌های تزریق شده نوری با حفره های HTM میسر شده است. اثر چرخه های پوشش دهی توسط طیف UV-Vis و تحلیل چگالی جریان- ولتاژ مورد بررسی قرار گرفت |
|
| کلیدواژه‌های فارسی مقاله |
|
|
| عنوان انگلیسی |
Restricted charge recombination process in PbS quantum dot sensitized solar cells by different coating cycles of ZnS films |
|
| چکیده انگلیسی مقاله |
The relatively low power conversion efficiency (PCE) of quantum dot sensitized solar cells (QDSSCs) is attributed to charge recombination at the interfaces. Charge recombination process could be suppressed by coating the QD layer with a wide band gap semiconductor such as ZnS, which acts as a blocking layer between the QDs and hole transport material (HTM). In present study, to improve PCE of PbS quantum dot sensitized solar cells, ZnS passivation layer has been successfully fabricated on PbS (QDs) by simple successive ion layer adsorption and reaction (SILAR) method at room temperature and ambient pressure. The effect of ZnS layer thickness on the photovoltaic properties was investigated by changing the coating cycles (n). Experimental results showed that ZnS passivation layer improved the photovoltaic performances of PbS QDSSCs by hindering the charge recombination process. The solar cell containing of ZnS layer with n=6 showed higher (short-circuit current density (Jsc), fill factor (FF) and PCE of 11.11mA.cm-2, 60.37% and 3.96%, respectively. By increasing the number of coating cycles to an optimum value of 6, the solar cell efficiency improved. We explored the reasons for this improvement and demonstrated that it is caused by a lower charge recombination of photo-injected electrons with the holes of HTM. The effect of coating cycles has been investigated by UV–Vis spectra and current density–voltage analysis. |
|
| کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله |
|
|
| نویسندگان مقاله |
مسعود مهرابیان |
دانشکده علوم پایه، دانشگاه مراغه، مراغه
سعید بیگ زاده |
گروه اپتیک و لیزر، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه بناب، بناب
|
|
| نشانی اینترنتی |
http://ijpr.iut.ac.ir/article_1433_206d5aadb0cca37f6593b0dfec92eb0d.pdf |
| فایل مقاله |
اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/1342/article-1342-2270453.pdf |
| کد مقاله (doi) |
|
| زبان مقاله منتشر شده |
fa |
| موضوعات مقاله منتشر شده |
|
| نوع مقاله منتشر شده |
|
|
|
|
برگشت به:
صفحه اول پایگاه |
نسخه مرتبط |
نشریه مرتبط |
فهرست نشریات
|