این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
مدلسازی در مهندسی، جلد ۸، شماره ۲۳، صفحات ۱۹-۲۳
عنوان فارسی طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه‏ ای برای بهبود اثرات خود گرمائی
چکیده فارسی مقاله این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهایSOI-MOSFET به عنوان راهکاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین٬ استفاده ازماده Si3N4 می باشد که دارای هدایت گرمائی بالاتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لایه ای می تواند نقش بسزایی در انتقال گرما به لایه های زیرین لایه مدفون داشته و از افزایش گرما در کانال جلوگیری نماید.
کلیدواژه‌های فارسی مقاله ترانزیستور اثر میدان، سیلیسیم روی عایق، خود گرمایی
عنوان انگلیسی DESIGN AND SIMULATION OF A MULTILAYER SOI-MOSFET STRUCTURE FOR IMPROVING SELF-HEATING EFFECTS
چکیده انگلیسی مقاله In this paper, a new silicon-on-insulator (SOI) device structure is proposed to reduce self-heating effects. Using Si3N4 material is main idea in the structure that has high thermal conductivity respect to silicon dioxide. The device has been verified in two-dimensional device simulation. The results show that the structure provides a new path to reduce the temperature of the channel of SOI Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) and decreases the temperature in the channel.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله علی اصغر اروجی | ali asghar orouji


سارا حیدری | heydari


نشانی اینترنتی http://modelling.journals.semnan.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-1-71&slc_lang=fa&sid=fa
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/1058/article-1058-207855.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده پژوهشی
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات