این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
مدلسازی در مهندسی، جلد ۱۳، شماره ۴۳، صفحات ۱۲۱-۱۲۷
عنوان فارسی ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی با ناحیه بدون ناخالصی در طرف درین برای اصلاح چگالی حامل ها و کاربردهای توان بالا
چکیده فارسی مقاله در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنهادی به ترتیب 57٪ و 50٪ نسبت به ساختار مسفت با گیت تو رفته دوبل در طرف سورس بهبود یافته و باعث می شود ساختار پیشنهادی عملکرد بهتری در کاربردهای توان بالا داشته باشد.
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی 4H-SiC MESFET with darin-side and undoped region for modifying charge distribution and high power applications
چکیده انگلیسی مقاله In this paper, a novel MESFET with an undoped region (DS-UR) and drain side-double recessed 4H-SiC metal semiconductor field effect transistor (MESFET) is presented. The key idea in this work is to modify the charge concentration and electric field distribution to improving breakdown voltage (VBR) and the maximum output power density (Pmax). The charge distribution plays an important role in determining device characteristics. Two-dimensional and two-carrier device simulation demonstrate that the VBR and Pmax are improved about 57% and 50% compared to source side-double recessed 4H-SiC MESFET (SS) structure, respectively which are important for high power applications.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله MESFE, breakdown voltage, SiC, charge distribution.
نویسندگان مقاله علی اصغر اروجی | ali a orouji
semnan university
دانشگاه سمنان
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه سمنان (Semnan university)

اکرم عنبر حیدری | anbar heidari
دانشگاه سمنان
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه سمنان (Semnan university)

زینب رمضانی |
دانشگاه سمنان
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه سمنان (Semnan university)

نشانی اینترنتی http://modelling.journals.semnan.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-326-6&slc_lang=fa&sid=fa
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/1058/article-1058-207693.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده مهندسی برق الکترونیک
نوع مقاله منتشر شده پژوهشی
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات