این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
International Journal of Engineering، جلد ۳۰، شماره ۴، صفحات ۵۵۱-۵۵۷
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Pulsed DC- Plasma Assisted Chemical Vapor Deposition of α-rich Nanostructured Tantalum Film: Synthesis and Characterization
چکیده انگلیسی مقاله This paper is an attempt to synthesize nanostructured tantalum films on medical grade AISI 316L stainless steel (SS) using pulsed DC plasma assisted chemical vapor deposition (PACVD). The impact of duty cycle (17-33%) and total pressure (3-10 torr) were studied using field emission scanning electron microscopy (FESEM), grazing incidence x-ray diffraction (GIXRD), nuclear reaction analysis (NRA), proton induced x-ray emission (PIXE) and Rockwell indentation methods. The optimized deposition conditions for making the best film characteristics in terms of deposition rate, purity and maximum α-phase was recognized. Also, the results showed that using a near stoichiometric TaN interlayer in this technique improves the film adhesion strength and considerably increases Ta film purity. The NRA analysis results indicated that the pulsed DC-PACVD is capable of producing Ta films with negligible amount of residual hydrogen which makes films needless to post bake treatment.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله Hamed Ghorbani |
Materials Engineering, Tarbiat Modares University

amir abdollahzadeh |
materials and mining, Tarbiat Modares university

A. Poladi |
Materials Science and Engineering, Semnan University

Mostafa Hajian |
Materials Science and Engineering, Shahrood University

نشانی اینترنتی http://www.ije.ir/article_72919_91c051ef0ae01a39f9d5c58deb7a015a.pdf
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/409/article-409-2062118.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات