این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
Journal of Optoelectronical Nanostructures، جلد ۴، شماره ۲، صفحات ۱۳-۲۸
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Performance Study and Analysis of Heterojunction Gate All Around Nanowire Tunneling Field Effect Transistor
چکیده انگلیسی مقاله In this paper, we have presented a heterojunction gate all around nanowiretunneling field effect transistor (GAA NW TFET) and have explained its characteristicsin details. The proposed device has been structured using Germanium for source regionand Silicon for channel and drain regions. Kane's band-to-band tunneling model hasbeen used to account for the amount of band-to-band tunneling generation rate per unitvolume of carriers which tunnel from valence band of source region to conduction bandof channel. The simulations have been carried out by three dimensional Silvaco Atlassimulator. Using extensive device simulations, we compared the results of presentedheterojunction structure with those of Silicon gate all around nanowire TFET. Whereasdue to thinner tunneling barrier at the source-channel junction which leads to theincrease of carrier tunneling rate, the heterojunction gate all around nanowire TFETshows excellent characteristics with high on-state current, superior transconductanceand high cut-off frequency.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله Mahsa Roohy |
Department of Electrical Engineering, Khoy Branch, Islamic Azad University, Khoy, Iran

Reza Hosseini |
Department of Electrical Engineering, Khoy Branch, Islamic Azad University, Khoy, Iran

نشانی اینترنتی http://jopn.miau.ac.ir/article_3475_244e154277e4186256e4a49e5bcdd5d9.pdf
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/1726/article-1726-1670936.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات