این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
Journal of Optoelectronical Nanostructures، جلد ۴، شماره ۱، صفحات ۵۱-۶۶
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Self-heating effect modeling of a carbon nanotube-based fieldeffect transistor (CNTFET)
چکیده انگلیسی مقاله We present the design and simulation of a single-walled carbon nanotube(SWCNT)-based field-effect transistor (FET) using Silvaco TCAD. In this paper, theself-heating effect modeling of the CNT MOSFET structure is performed and comparedwith conventional MOSFET structure having same channel length. The numericalresults are presented to show the self-heating effect on the I–V characteristics of theCNT MOSFET and conventional MOSFET structures. Results from numericalsimulation show that the maximum temperature rise and the performance degradation ofthe CNT MOSFET are quite lower than that of the conventional MOSFET counterpart.These advantages are contributed by the good electrical and thermal properties of theSWCNTs. Therefore, SWCNT materials have a high capability for the development ofactive devices with low power dissipation and good reliability at high operatingtemperature.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله Kazem Pourchitsaz |
Department of Electrical Engineering, Yazd Branch, Islamic Azad University, Yazd, Iran

Mohammad Reza Shayesteh |
Department of Electrical Engineering, Yazd Branch, Islamic Azad University, Yazd, Iran

نشانی اینترنتی http://jopn.miau.ac.ir/article_3385_f54949f320b88ec97c3a57ec4e406353.pdf
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/1726/article-1726-1498696.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات