این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
Journal of Optoelectronical Nanostructures، جلد ۳، شماره ۴، صفحات ۳۵-۴۴
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Growth and Characterization of Thin MoS2 Films by Low- Temperature Chemical Bath Deposition Method
چکیده انگلیسی مقاله Transition metal dichalcogenide (TMDC) materials are very important inelectronic and optical integrated circuits and their growth is of great importance in thisfield. In this paper we present growth and fabrication of MoS2 (Molibdan DiSulfide)thin films by chemical bath method (CBD). The CBD method of growth makes itpossible to simply grow large area scale of the thin layers of this material in lowertemperatures (near room temperature) and atmosphere pressure in comparison to costlycomplicated growth methods. The results show the effect of growth temperature andtime on the quality of layers and XRD measurements were performed for analysis ofcrystalline structure of layers. The results show that for the bath temperature of 60oCand for 75 min growth time, better quality of layers can be obtained with low intensity.The low intensity of XRD peaks belongs to poor crystalline structure of layers. Forhigher bath temperatures, the films lose their uniformity. The results were confirmed bySEM images.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله Mahdi Zavvari |
Microwave and Antenna Research Center, Urmia branch, Islamic Azad University, Urmia, Iran.

Yashar Zehforoosh |
Microwave and Antenna Research Center, Urmia branch, Islamic Azad University, Urmia, Iran.

نشانی اینترنتی http://jopn.miau.ac.ir/article_3255_c132ed6ce837d25c96f36e34873e62e0.pdf
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/1726/article-1726-1240346.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات