این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
صفحه اصلی
درباره پایگاه
فهرست سامانه ها
الزامات سامانه ها
فهرست سازمانی
تماس با ما
JCR 2016
جستجوی مقالات
دوشنبه 26 آبان 1404
فرآیندهای نوین در مهندسی مواد
، جلد ۹، شماره ۳، صفحات ۱۳۳-۱۴۴
عنوان فارسی
بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسانگرد سیلیکون در محلول TMAH
چکیده فارسی مقاله
این مقاله به بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسانگرد سیلیکون (100) در هیدروکسید آمونیم تترامتیل(TMAH) پرداخته است. فرآیند حکاکی در محلول TMAH با غلظتهای مختلف 5%، 10%، 15% و 25% و در دماهای مختلف oC 70، oC 80 و oC90 انجام شد. نتایج نشان میدهد که نرخ زدایش با افزایش دما، افزایش مییابد ولی این نرخ با افزایش غلظت TMAH در غلظتهای بیشتر از 10% کاهش مییابد. بیشترین نرخ زدایش برابر با µm/h62 در غلظت10% و دمای oC 90 است. تصاویر SEM نشان میدهد که در سطح سیلیکون برآمدگیهای شبیه به تپههای هرمی شکل کوچک ظاهر میشود که تعداد، شکل و نحوه توزیع آنها در روی سطح سیلیکون کاملا تصادفی است. تعداد ناهمواری با افزایش غلظت TMAH کاهش مییابد و سطح سیلیکون حکاکی شده در TMAH با غلظتهای بالا، صافتر میباشد. درضمن بیشترین مقدار نرخ زدایش در صفحه < 100> نسبت به صفحه < 111> برای TMAH با غلظت10% به دست آمده است که مقدار آن 6/10 است. زدایش سیلیکون با TMAH در این غلظت کمترین زیربریدگی را دارد.
کلیدواژههای فارسی مقاله
عنوان انگلیسی
چکیده انگلیسی مقاله
کلیدواژههای انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله
حسن عبداللهی |
مدیر پژوهش دانشکده برق دانشگاه هوائی شهید ستاری
سازمان اصلی تایید شده
: دانشگاه هوایی شهید ستاری (Shahid sattari university of aeronautical engineering)
حسن حاج قاسم |
عضو هیات علمی دانشگاه تهران
سازمان اصلی تایید شده
: دانشگاه تهران (Tehran university)
نشانی اینترنتی
http://ma.iaumajlesi.ac.ir/article_517131_9400064c5044e259834027e79bb87399.pdf
فایل مقاله
اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/1000/article-1000-355163.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده
fa
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به:
صفحه اول پایگاه
|
نسخه مرتبط
|
نشریه مرتبط
|
فهرست نشریات