این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
Journal of Nanostructures، جلد ۶، شماره ۴، صفحات ۲۷۳-۲۷۷
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی First-principles investigation of density of states and electron density in wurtziteIn0.5Ga0.5Nalloys with GGA-PBEsol method
چکیده انگلیسی مقاله In present work, we have calculated the electronic properties including density of states (DOS) and electron density for GaN, InN and in wurtzite phase for x=0.5. The study is based on density functional theory (DFT) with full potential linearized augmented plane wave method (FP-LAPW) by generalized gradient approximation (GGA-PBEsol) for calculating electronic properties. In this report we concluded that InxGa1-xN band gap, which would be decreased with increasing In concentration and GaN is very sensitive on In content. In present work, we have calculated the electronic properties including density of states (DOS) and electron density for GaN, InN and in wurtzite phase for x=0.5. The study is based on density functional theory (DFT) with full potential linearized augmented plane wave method (FP-LAPW) by generalized gradient approximation (GGA-PBEsol) for calculating electronic properties. In this report we concluded that InxGa1-xN band gap, which would be decreased with increasing In concentration and GaN is very sensitive on In content.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله InGaN,DOS,DFT,FP-LAPW,GGA
نویسندگان مقاله علی هاشمی زاده |
department of physics, payame noor university, tehran, iran
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه پیام نور تهران (Payame noor university)

وحید محمدی سیاوشی | mohammadi siavashi
department of physics, payame noor university, tehran, iran
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه پیام نور تهران (Payame noor university)

نشانی اینترنتی http://jns.kashanu.ac.ir/article_40758_98c16c00b4ebde01da12e18762fc8c92.pdf
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/497/article-497-315517.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات