این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
سنجش و ایمنی پرتو، جلد ۱۱، شماره ویژه نامه، صفحات ۸۹-۹۲
عنوان فارسی بررسی اثر تابش گاما روی خواص الکتریکی ترانزیستور و دیود سیلیکونی برای کاربرد در دزیمتری دزهای بالا
چکیده فارسی مقاله در این مقاله، اثر تابش گاما روی خواص ترانزیستورهای دوقطبی و ماسفت و دیودهای شاتکی و معمولی برای دزیمتری بررسی و مقایسه شده است. برای پرتودهی گاما از دستگاه گاماسل حاوی چشمه کبالت 60 با فعالیت 5770 کوری واقع در سازمان انرژی اتمی تهران استفاده شد. آزمایش‌ها برای پرتودهی قطعات تحت دزهای 2، 4، 8، 16 و 32 کیلوگری انجام شدند. نتایج نشان داد که پرتودهی گاما در این محدوده دز، بطور قابل توجه‌ی بر پارامترهای قطعات الکترونیکی تاثیرگذار است. منحنی تغییرات دز نسبت به جریان خطی می باشد. دزیمترهای فردی را می­توان به دو دسته­ی فعال و غیرفعال تقسیم بندی کرد. در دزیمترهای غیرفعال فردی از آشکارسازهایی که توان نگهداری داده های ثبت شده برای مدت زمان طولانی را دارند استفاده میشود. آشکارسازهای حالت جامد ردپای هسته ای و گرمالیانی از مهم ترین گزینه­های مورد استفاده، دزیمترهای غیرفعال هستند. با رشد و پیشرفت فناوری مواد نیمرسانا به ویژه سیلیسیم، دزیمترهای فعال فردی گاما بر پایه سیلیسیم توسعه­ ی خوبی یافته و آنها به جای فیلم بج های غیرفعال گاما مورد استفاده قرار گرفته­اند. ترانزیستورها و دیودهای سیلیسیمی به دلیل داشتن حجم کوچک، وزن کم، ولتاژ کاری پایین، قدرت تفکیک انرژی خوب، عملکرد ساده و سهولت حمل، بهترین ابزار برای استفاده به عنوان آشکارساز در دزیمتر فعال فردی گاما هستند.
کلیدواژه‌های فارسی مقاله آسیب تابشی، دزیمتری، تابش گاما، چشمه کبالت 60، حساسیت دزیمتر،
عنوان انگلیسی An investigation of the effect of Gamma irradiation on the electrical properties of transistors and silicon diodes for application in high dose dosimetry
چکیده انگلیسی مقاله In this paper, the effect of gamma radiation on the properties of bipolar and MOSFET transistors and ordinary Schottky diodes for dosimetry is investigated and compared. For gamma irradiation, a Gamasel device containing 60 cobalt springs with an activity of 5770 curries located in the Atomic Energy Organization of Tehran was used. Experiments were performed to irradiate parts under doses of 2, 4, 8, 16 and 32 kg. The results showed that gamma radiation in this dose range significantly affects the parameters of electronic components. The dose change curve relative to the flow is linear. Individual dosimeters can be divided into active and inactive categories. Individual passive dosimeters use detectors that are capable of storing recorded data for a long time. Nuclear and germline solid state detectors are the most important options used, passive dosimeters . With the growth and development of semiconductor materials technology, especially silicon, silicon-based individual active gamma dosimeters have been well developed and they have been used instead of inactive gamma film films. Transistors and silicon diodes are the best tools for use as detectors in the individual gamma active dosimeter due to their small volume, low weight, low operating voltage, good energy resolution, simple operation and ease of transport .
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله آسیب تابشی, دزیمتری, تابش گاما, چشمه کبالت 60, حساسیت دزیمتر
نویسندگان مقاله زهرا دارم |
دانشگاه اصفهان

بابک شیرانی |
دانشگاه اصفهان

سعید گلشاه |
پژوهشگاه فضایی ایران

نشانی اینترنتی https://rsm.kashanu.ac.ir/article_112464_83816f2bd39b2737e233a815ab751f7d.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات