این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
فرآیندهای نوین در مهندسی مواد، جلد ۱۰، شماره ۱، صفحات ۹۱-۹۸
عنوان فارسی نقش پایه گرافیتی بر تشکیل ساختار گرادیان ترکیبی C/SiC طی فرایند سمانتاسیون توده‌ای
چکیده فارسی مقاله گرافیت به طور گسترده در ساختارهای دمای بالا مورد استفاده قرار گرفته‌است با این حال، گرافیت از دمای حدود 400 درجه سانتیگراد، به آسانی با اکسیژن واکنش می‌دهد. کاربید سیلیسیم (SiC) با تغییر تدریجی ترکیب در مقیاس میکروسکوپی به عنوان بهترین ماده برای جلوگیری از اکسیداسیون گرافیت شناخته شده است. در این پروژه پوشش SiC بر پنج نوع گرافیت مختلف به روش سمانتاسیون توده‌ای اعمال گردید و رابطه بین ریزساختار و خواص پایه گرافیتی و ساختار پوشش SiC با یافته‌های آزمایشگاهی و محاسبات تئوری بررسی شد. آنالیز پراش اشعه ایکس (XRD) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) نشان می‌دهد که در روش سمانتاسیون توده‌ای، پوشش کاربید سیلیسیم با تراکم مناسب با ترکیب Si، C و β-SiC ایجاد می‌شود. نوع گرافیت و خواص آنها نقش مهمی در ریزساختار پوشش تدریجی ایفا می‌کند، به طوری که پوشش تدریجی SiC تنها بر گرافیت با چگالی بالا، گرافیته شده خوب، تخلخل مناسب و با توزیع اندازه حفرات در محدوده 710-600 نانومتر تشکیل می‌شود.
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی The role of graphite substrate on the formation of C/SiC gradient structure during pack cementation process
چکیده انگلیسی مقاله The graphite has been generally used as a high-temperature structural material. However, graphite can easily react with oxygen even at temperatures as low as 400 °C. The graded silicon carbide (SiC) characterized by compositional gradation over microscopic distances, is considered to be the most promising coating material in order to prevent the oxidation of graphite. In this paper, SiC coating has been created on five kinds of graphite substrates using a pack cementation method. The relationship between the microstructure and property of graphite substrates and SiC coating was investigated experimentally and theoretically. X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) analysis demonstrate that the coating obtained by the pack cementation is a dense structure comprising Si, C and β-SiC. It was found that the kind of graphite has marked effect on the microstructure of SiC coating. SiC gradient coating is expected to form on the surface of graphite with high density, good graphitized, appropriate porosity and the pore radius mainly over the range of 600–710 nm.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله جلیل پوراسد |
دانشجوی دکتری، مجتمع دانشگاهی مواد و فناوری های ساخت، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهران
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه صنعتی مالک اشتر (Malek ashtar university of technology)

ناصر احسانی |
استاد، مجتمع دانشگاهی مواد و فناوری های ساخت، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهران
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه صنعتی مالک اشتر (Malek ashtar university of technology)

سید علی خلیفه سلطانی | seyed ali khalifeh soltani
دانشجوی دکتری، مجتمع دانشگاهی مواد و فناوری های ساخت، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهران
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه صنعتی مالک اشتر (Malek ashtar university of technology)

نشانی اینترنتی http://ma.iaumajlesi.ac.ir/article_523227_5a2e2db820160690f7d2b5c94fce2b04.pdf
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/1000/article-1000-202026.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات