این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
Journal of Nanostructures، جلد ۲، شماره ۴، صفحات ۴۷۷-۴۸۳
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Impact of Silicon Wafer Orientation on the Performance of Metal Source/Drain MOSFET in Nanoscale Regime: a Numerical Study
چکیده انگلیسی مقاله A comprehensive study of Schottky barrier MOSFET (SBMOSFET) scaling issue is performed to determine the role of wafer orientation and structural parameters on the performance of this device within Non-equilibrium Green's Function formalism. Quantum confinement increases the effective Schottky barrier height (SBH). (100) orientation provides lower effective Schottky barrier height in comparison with (110) and (111) wafers. As the channel length of ultra thin body SBMOSFET scales down to nanoscale regime, especially for high effective SBHs, quantum confinement is created along the channel and current propagates through discrete resonance states. We have studied the possibility of resonant tunneling in SBMOSFET. Resonant tunneling for (110) and (111) orientations appear at higher gate voltages.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله z آهنگری |
department of electrical engineering, science and research branch, islamic azad university, tehran, iran
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه آزاد اسلامی علوم و تحقیقات (Islamic azad university science and research branch)

m فتحی پور |
school of electrical and computer engineering university of tehran, tehran
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه تهران (Tehran university)

نشانی اینترنتی http://jns.kashanu.ac.ir/article_5420_9e9d3bd5833c7e84bb8c8f51338d52f5.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات