Iranian Journal of Chemistry and Chemical Engineering، جلد ۳۱، شماره ۱، صفحات ۳۷-۴۲
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی A Study of ZnO Buffer Layer Effect on Physical Properties of ITO Thin Films Deposited on Different Substrates
چکیده انگلیسی مقاله The improvement of the physical properties of Indium Tin Oxide (ITO) layers is quite advantageous in photovoltaic applications. In this study the ITO film is deposited by RF sputtering onto p-type crystalline silicon (c-Si) with (100) orientation, multicrystalline silicon (mc-Si), and glass substrates coated with ZnO and annealed in vacuum furnace at 400°C. Electrical, optical, structural and morphological properties of the ITO films were analyzed by four point probe, UV/VIS/IR spectrophotometer, X-Ray Diffraction (XRD) and Scanning Electron Microscope (SEM). The quality of films deposited on buffer layer is found to be superior to those grown directly on a substrate. The structural, optical and electrical studies reveal that ZnO buffer layers improve the crystalline quality, optical and electrical properties of ITO thin films.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله نگین معنوی زاده |
faculty of electrical engineering, k.n. toosi university of technology, tehran, i.r. iran
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی (Khajeh nasir toosi university of technology)

علیرضا خدایاری | ali reza
faculty of mechanical engineering, k.n. toosi university of technology, tehran, i.r. iran
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی (Khajeh nasir toosi university of technology)

ابراهیم اصل سلیمانی | asl soleimani
thin film laboratory, ece department, university of tehran, tehran, i.r. iran
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه تهران (Tehran university)

شیدا باقرزاده |
thin film laboratory, ece department, university of tehran, tehran, i.r. iran
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه تهران (Tehran university)

نشانی اینترنتی http://www.ijcce.ac.ir/article_6072_f4e7750fbe1a5f07a0a80b2fa9f40ade.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات